NTB75N03-06T4G-VB一個N溝道TO263封裝的MOS管Datasheet參數視頻講解

**NTB75N03-06T4G-VB**

**絲印：** VBL1303
**品牌：** VBsemi
**參數：** TO263；N—Channel溝道, 30V；170A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V, VGS=20V；Vth=1.7V

**封裝：** TO263

**詳細參數說明：**
- **溝道類型：** N—Channel
- **最大承受電壓：** 30V
- **最大電流：** 170A
- **導通電阻：** 3mΩ（在VGS=10V時），3mΩ（在VGS=20V時）
- **閾值電壓：** 1.7V

**應用簡介：**
該器件為 N—Channel 溝道的 MOSFET，適用於需要控制正向電流的高功率模組。可用於功率放大、電源開關和電流調節等高電流應用。

**作用：**
- 控制正向電流，適用於高功率模組。
- 在功率放大和電源開關電路中發揮關鍵作用。

**使用領域模組：**
1. **功率放大模組：** 用於構建高功率的放大電路，適用於音頻放大器等應用。
2. **電源開關模組：** 在需要高電流開關的電源系統中使用，確保可靠的電源開關。
3. **電流調節模組：** 用於高電流應用，確保系統正常運行。

**使用注意事項：**
1. **電壓和電流限制：** 不要超過規定的最大電壓和電流。
2. **溫度控制：** 注意器件工作時的溫度，避免過熱。
3. **適當的散熱：** 對於高功率應用，確保提供足夠的散熱。

如有需要進一步瞭解或有其他問題，請告訴我。