NT2955G-VB一個P溝道TO252封裝的MOS管Datasheet參數視頻講解

NT2955G (VBE2610N)參數說明：P溝道，-60V，-38A，導通電阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，門源電壓範圍20V(±V)，閾值電壓-1.3V，封裝：TO252。
應用簡介：NT2955G適用於功率開關和逆變器等高功率應用的P溝道MOSFET。
其能夠處理較大的電流和電壓，適用於高功率需求的場景。
優勢與適用領域：具有較大的電流和電壓承載能力，適用於高功率應用，如電源開關、逆變器和電機驅動等模組。