MTB1D7N03E3-VB一個N溝道TO220封裝的MOS管Datasheet參數視頻講解

型號：MTB1D7N03E3
絲印：VBM1302
品牌：VBsemi
參數：
- 頻道類型：N溝道
- 額定電壓：30V
- 額定電流：180A
- RDS(ON)：2mΩ @ 10V，2.8mΩ @ 4.5V
- 門源電壓範圍：20V
- 門源閾值電壓：1.7V
- 封裝類型：TO220

應用簡介：
MTB1D7N03E3（絲印：VBM1302）是VBsemi公司生產的一款N溝道功率MOSFET。以下是詳細的參數說明和應用簡介：

詳細參數說明：
MTB1D7N03E3是一款N溝道功率MOSFET，具有高電壓和大電流承載能力。主要參數包括額定電壓為30V，額定電流為180A，RDS(ON)為2mΩ @ 10V，2.8mΩ @ 4.5V，門源電壓範圍為20V，門源閾值電壓為1.7V，封裝類型為TO220。

應用領域：
MTB1D7N03E3（VBM1302）適用於多種領域和應用場景，主要用於需要N溝道功率MOSFET的高電壓和大電流承載能力的電路。以下是一些典型的應用領域：

1. 電源管理模組：MTB1D7N03E3可用於電源管理模組中，提供高效的電能轉換和穩定的電流輸出，改善系統的功耗和效率。
2. 電機驅動：它可應用於電機驅動電路中，提供高功率和高效能的電力輸出，適用於工業自動化和機械設備中的電機驅動。
3. 汽車電子系統：MTB1D7N03E3適用於汽車電子系統中的電源管理、電機驅動和照明控制等方面，滿足汽車電子系統對高電壓和高功率的要求。

綜上所述，MTB1D7N03E3（VBM1302）是一款N溝道功率MOSFET，適用於電源管理模組、電機驅動和汽車電子系統等領域模組。它具有高電壓和大電流承載能力，適用於需要高功率和高效能的電路。