IRLR3110ZPBF-VB一個N溝道TO252封裝的MOS管Datasheet參數視頻講解

IRLR3110ZPBF (VBE1101N)參數說明：N溝道，100V，70A，導通電阻9mΩ@10V，20mΩ@4.5V，門源電壓範圍20V(±V)，閾值電壓3.2V，封裝：TO252。
應用簡介：IRLR3110ZPBF適用於高功率N溝道MOSFET，常見於電源開關、電機控制和逆變器等領域模組。
其極低的導通電阻使其在低電壓降場景中性能卓越。
優勢與適用領域：適用於高功率應用，如電源開關、電機控制和逆變器等模組。
極低的導通電阻有助於降低功率損耗，提高效率。