IRLR024NTRPBF-VB一個N溝道TO252封裝的MOS管Datasheet參數視頻講解

型號：IRLR024NTRPBF-VB
絲印：VBE1695
品牌：VBsemi
參數：
- N溝道
- 額定電壓：60V
- 額定電流：18A
- 導通電阻：73mΩ @ 10V, 85mΩ @ 4.5V
- 額定柵極源極電壓：20Vgs (±V)
- 閾值電壓：2Vth (V)
- 封裝：TO252

詳細參數說明：
IRLR024NTRPBF-VB是一款N溝道功率MOSFET，具有60V高電壓和18A高電流的額定值。其導通電阻為73mΩ@10V和85mΩ@4.5V，使其能夠提供低功耗和高效率的開關特性。此外，其額定柵極源極電壓為20V，閾值電壓為2V，適用於各種電氣設備的控制和開關需求。

應用簡介：
IRLR024NTRPBF-VB功率MOSFET廣泛適用於各種領域的電氣設備和模組中，其主要用途包括但不限於：
1. 電源供應模組：該MOSFET可用於設計和控制各種電源模組，包括開關電源、直流電源和逆變器。
2. 電機驅動：適用於電機驅動模組，如電動車、工業自動化設備和家電。
3. 照明控制：可用於LED照明控制模組，如LED燈帶、室內照明和汽車照明系統。
4. 電動汽車充電樁：用於設計和控制電動汽車充電樁模組，實現高效充電和電網連接。

總之，IRLR024NTRPBF-VB功率MOSFET可廣泛應用於各種領域模組，以實現高效能效和可靠性控制。