IRFR3910TRPBF-VB一個N溝道TO252封裝的MOS管Datasheet參數視頻講解
**絲印:** VBE1101M
**品牌:** VBsemi
**參數:** TO252;N—Channel溝道, 100V;18A;RDS(ON)=115mΩ@VGS=10V, VGS=20V;Vth=1.6V
**封裝:** TO252
**詳細參數說明:**
- **溝道類型:** N—Channel
- **最大承受電壓:** 100V
- **最大電流:** 18A
- **導通電阻:** 115mΩ(在VGS=10V時),115mΩ(在VGS=20V時)
- **閾值電壓:** 1.6V
**應用簡介:**
該器件為 N—Channel MOSFET,適用於需要控制正向電流的高電壓高電流應用,如電源開關和電機驅動。
**作用:**
- 控制正向電流,適用於需要 N—Channel 溝道的高電壓高電流模組。
- 在電源開關和電機驅動等領域中發揮關鍵作用。
**使用領域模組:**
1. **電源開關模組:** 用於構建可靠的正向電流開關電路,確保電源系統正常運行。
2. **電機驅動模組:** 適用於需要高電壓高電流控制的電機驅動系統。
**使用注意事項:**
1. **電壓和電流限制:** 不要超過規定的最大電壓和電流。
2. **溫度控制:** 注意器件工作時的溫度,避免過熱。
3. **閾值電壓選擇:** 根據應用需求選擇適當的閾值電壓。
如有需要進一步瞭解或有其他問題,請告訴我。
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