IRFR1018ETRPBF-VB一個N溝道TO252封裝的MOS管Datasheet參數視頻講解

型號：IRFR1018ETRPBF-VB
絲印：VBE1615
品牌：VBsemi
參數：
- N溝道
- 最大耐壓：60V
- 最大漏電流：60A
- 靜態導通電阻（RDS(ON)）：9mΩ @ 10V, 11mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓（Vth）：1.87V
- 封裝：TO252

應用簡介：
IRFR1018ETRPBF-VB是一款N溝道場效應電晶體，適用於高功率電子應用。它具有低導通電阻和耐壓特性，適用於要求高電流和高功率的電子系統。

領域模組應用：
1. 電源開關模組：IRFR1018ETRPBF-VB可用於電源開關應用，如高功率電源開關和電源轉換器。
2. 電機驅動器：在高功率電機驅動應用中，它能夠提供所需的高電流和高效率。
3. 高功率放大器：適用於音頻放大器、RF放大器等高功率放大器模組。

這些特性使IRFR1018ETRPBF-VB在高功率電子系統中有廣泛的應用。