IPD78CN10N G-VB一個N溝道TO252封裝的MOS管Datasheet參數視頻講解

型號：IPD78CN10N G
絲印：VBE1106N
品牌：VBsemi

詳細參數說明：
- 極性：N溝道
- 額定電壓：100V
- 額定電流：25A
- 開通電阻（RDS(ON)）：55mΩ @ 10V, 57mΩ @ 4.5V, 73mΩ @ 2.5V
- 額定柵極-源極電壓（Vgs）：20V (±V)
- 閾值電壓（Vth）：1.4V
- 封裝類型：TO252

應用簡介：
IPD78CN10N G是一款N溝道MOSFET，具有高電壓和高電流能力，適用於各種領域的模組應用。其特點包括低導通電阻、高開關速度和可靠性。

主要應用領域：
1. 照明模組：IPD78CN10N G可應用於LED照明模組中的電源管理和驅動控制。其高電壓和高電流能力使其能夠提供可靠的功率開關和精確的照明調節。

2. 功率轉換：由於IPD78CN10N G具有較低的導通電阻和高開關速度，可以應用於功率轉換模組中的DC-DC轉換器和逆變器。它能夠提供高效的能量轉換和穩定的電源輸出。

3. 電動車輛：IPD78CN10N G適用於電動車輛中的電源管理和驅動控制模組。其高電壓和低導通電阻能夠提供高效的功率傳輸和穩定的電動車輛運行。

4. 工業自動化：在工業自動化領域，IPD78CN10N G可用於電機控制、感測器介面和數據採集模組。其高電流能力和低導通電阻能夠提供穩定的信號處理和精確的控制功能。

綜上所述，IPD78CN10N G適用於照明模組、功率轉換、電動車輛和工業自動化等領域的模組應用。它具有高電壓、高電流能力和低導通電阻，能夠滿足各種應用需求，並提供高效的功率開關和電流控制。