IPD640N06LG-VB一個N溝道TO252封裝的MOS管Datasheet參數視頻講解

IPD640N06LG (VBE1638)參數說明：N溝道，60V，45A，導通電阻24mΩ@10V，28mΩ@4.5V，門源電壓範圍20V(±V)，閾值電壓1.8V，封裝：TO252。
應用簡介：IPD640N06LG適用於高功率N溝道MOSFET，常見於電源開關、電機控制和逆變器等領域模組。
其高電流承載能力使其在大電流需求場景中表現出色。
適用領域與模組：適用於高功率應用，如電源開關、電機控制和逆變器等模組。
高電流承載能力滿足大電流需求。