IPD35N10S3L-26-VB一個N溝道TO252封裝的MOS管Datasheet參數視頻講解

型號: IPD35N10S3L-26-VB
絲印: VBE1104N
品牌: VBsemi
參數:
- 溝道類型: N溝道
- 額定電壓: 100V
- 最大電流: 40A
- 靜態導通電阻 (RDS(ON)): 30mΩ @ 10V
- 靜態導通電阻 (RDS(ON)): 31mΩ @ 4.5V
- 門源電壓 (Vgs): ±20V
- 閾值電壓 (Vth): 1.8V
- 封裝: TO252

應用簡介:
IPD35N10S3L-26-VB是一種N溝道場效應電晶體 (FET)，具有高電壓容忍能力和低導通電阻。它適用於多種電子設備和應用領域，具有以下主要應用：

1. **電源開關：** IPD35N10S3L-26-VB可用作電源開關，用於控制電路中的高電流流動。它的高電壓容忍能力和低導通電阻使其在高功率應用中非常有效。

2. **電機驅動：** 在電機驅動器中，這種高電流FET可以用於控制電機的啟停和速度控制，特別是在需要高電壓的應用中。

3. **電子開關：** 適用於各種電子開關應用，如電源分配單元、開關電源、電源管理模組和電路斷開。

4. **電源逆變器：** 在逆變器應用中，它可以用於將直流電源轉換為交流電源，適用於太陽能逆變器、UPS系統等。

5. **電流控制：** 可以用於電流控制電路，例如電流限制器和電流源。

這些應用領域涵蓋了需要高電壓和高電流處理能力的多種高功率電子設備和模組。IPD35N10S3L-26-VB的特點使其成為用於高性能電源管理、電機控制和電流控制的重要元件。