FDT3612-VB一個N溝道SOT223封裝的MOS管Datasheet參數視頻講解

型號：FDT3612-VB
絲印： VBJ1101M
品牌： VBsemi
封裝： SOT223
詳細參數說明：

溝道類型（Channel Type）： N—Channel
最大漏電流（Maximum Drain Current）： 5A
最大漏電壓（Maximum Drain-Source Voltage）： 100V
導通電阻（On-Resistance）： RDS(ON)=100mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
閾值電壓（Gate Threshold Voltage）： Vth=2~4V
應用簡介：
FDT3612-VB是一款N—Channel溝道場效應電晶體，具有適中的漏電流、較高的漏電壓、低導通電阻等特性。採用SOT223標準封裝，適用於多種電子應用。

主要應用領域模組：

電源開關模組： 適用於電源開關模組，實現高效的電源控制和管理，尤其在低至中功率的應用中表現出色。

電流控制模組： 由於其適中的性能參數，可用於電流控制模組，實現對負載電流的有效控制。

電池保護模組： 適用於電池保護電路，提供對電池的有效保護。

使用注意事項：

請按照廠家提供的規格書和應用指南使用，並確保工作條件在組件的規定範圍內。
確保電路設計合理，以防過電流、過電壓等情況對器件造成損害。
注意適當的散熱設計，特別是在高功率應用中，以確保器件在正常工作溫度範圍內。
遵循焊接和封裝的相關標準，確保器件與電路板的可靠連接。