FDD5614P-VB一個P溝道TO252封裝的MOS管Datasheet參數視頻講解

型號：FDD5614P
絲印：VBE2610N
品牌：VBsemi

詳細參數說明：
- 類型：P溝道MOSFET
- 最大耐壓：-60V
- 最大電流：-38A
- 導通電阻：61mΩ @10V, 72mΩ @4.5V
- 門源電壓：20Vgs (±V)
- 門閾電壓：-1.3Vth
- 封裝：TO252

應用簡介：
FDD5614P是一款P溝道MOSFET，適用於負極電壓控制或負載開關的應用。其最大耐壓為-60V，最大電流為-38A，具有低導通電阻和高性能。

該器件適用於多個領域的模組設計，主要包括：
1. 電源管理模組：可用於負極電源開關和正負電源控制的電路。
2. 電機驅動模組：適用於驅動小型直流電機或步進電機的控制器。
3. 轉換器模組：可用於直流-直流轉換器和逆變器的輸出調節。

總之，FDD5614P適用於負極電壓控制和負載開關等應用領域的模組設計，包括電源管理、電機驅動和轉換器模組等。