FDC658AP-VB一個P溝道SOT23-6封裝的MOS管Datasheet參數視頻講解
絲印:VB8338
品牌:VBsemi
參數說明:
- P溝道
- 額定電壓:-30V
- 最大電流:-4.8A
- RDS(ON):49mΩ @ 10V, 54mΩ @ 4.5V
- 門源電壓(Vgs)範圍:±20V
- 閾值電壓(Vth)範圍:-1~-3V
- 封裝:SOT23-6
應用簡介:
FDC658AP-VB是一款P溝道MOSFET,適用於負向電壓應用。它具有低通態電阻和適中的電流承受能力,適合多種負向電壓電子設備。
應用領域:
1. **電源逆變器**:FDC658AP-VB可用於電源逆變器模組,將負向電壓轉換為正向電壓,適用於太陽能逆變器和電力系統。
2. **電源管理**:在需要負向電壓管理的應用中,它可以用於電源開關和電池保護,例如在實驗室設備中。
3. **電池充電**:可用於負向電壓電池充電電路,控制電池充電和放電。
4. **電源開關**:在負向電壓電源開關模組中使用,提供高效率的電源管理。
總之,FDC658AP-VB適用於負向電壓應用,包括電源逆變器、電源管理、電池充電和電源開關等領域。
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