2SJ668-VB一個P溝道TO252封裝的MOS管Datasheet參數視頻講解

型號：2SJ668
絲印：VBE2610N
品牌：VBsemi

詳細參數說明：
- 類型：P溝道MOSFET
- 最大耐壓：-60V
- 最大電流：-38A
- 導通電阻：61mΩ @10V, 72mΩ @4.5V
- 門源電壓：20Vgs (±V)
- 門閾電壓：-1.3Vth
- 封裝：TO252

應用簡介：
2SJ668是一款P溝道MOSFET，適用於負極電壓控制或負載開關的高功率應用。其最大耐壓為-60V，最大電流為-38A，具有低導通電阻和高性能。

該器件適用於多個領域的模組設計，主要包括：
1. 電源管理模組：適用於需要負極電壓控制的高功率DC-DC轉換器、逆變器等。
2. 高功率負載開關：可用於高功率負載開關和電源控制器。
3. 汽車電子模組：適用於汽車電子系統中的負極電源控制和負載開關。

總之，2SJ668適用於負極電壓控制和高功率負載開關等應用領域的模組設計，包括電源管理、高功率負載開關和汽車電子模組等。