25P03LG-VB一個P溝道TO252封裝的MOS管Datasheet參數視頻講解

型號：25P03LG-VB
絲印：VBE2338
品牌：VBsemi
參數：
- P溝道
- 最大耐壓：-30V
- 最大漏電流：-26A
- 靜態導通電阻（RDS(ON)）：33mΩ @ 10V, 46mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓（Vth）：-1.3V
- 封裝：TO252

應用簡介：
25P03LG-VB是一款P溝道場效應電晶體，適用於多種功率控制和開關電路應用。其低導通電阻和耐壓特性使其適用於高功率電子系統。

領域模組應用：
1. 電源管理模組：25P03LG-VB可用於高功率開關電源、穩壓器等電源管理模組，以提供有效的功率控制。
2. 電機驅動模組：在電機控制和驅動電路中，這種電晶體可用於提供電機所需的高電流。
3. 高功率開關模組：適用於高功率開關模組，如電焊設備、高功率LED驅動器等。

這些特性使25P03LG-VB在高功率電子系統中具有廣泛的應用。